本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開(kāi)關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來(lái)emc電磁干擾問(wèn)題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號(hào)，控制電路弱信號(hào)與igbt模塊的強(qiáng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動(dòng)器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過(guò)脈沖變壓器傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，大量應(yīng)用于風(fēng)電變流器領(lǐng)域。以上兩種方案雖然解決了風(fēng)電變流器emc抗干擾問(wèn)題，但是成本相對(duì)較高，較為經(jīng)濟(jì)的解決方案是采用光耦來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣隔離，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v），容易受干擾。另外，大功率igbt模塊在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生高的di/dt和du/dt，會(huì)導(dǎo)致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導(dǎo)致igbt模塊上下管直通，產(chǎn)生短路電流，如果不及時(shí)保護(hù)就會(huì)導(dǎo)致igbt模塊損壞，嚴(yán)重影響變流器正常運(yùn)行。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍，樹(shù)立了行業(yè)應(yīng)用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍。云南新能源模塊

以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，所述原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，所述副邊電路包括±15v驅(qū)動(dòng)電源、驅(qū)動(dòng)電路和vce-sat檢測(cè)電路，vce-sat檢測(cè)電路分別連接igbt模塊、驅(qū)動(dòng)電路和光耦隔離電路，光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，通過(guò)光耦隔離電路傳遞故障信號(hào)給原邊電路，原邊電路同時(shí)igbt模塊上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并通過(guò)光耦隔離電路和驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷igbt模塊。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述igbt模塊分為上下兩路。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路均分為上下兩路。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述光耦隔離電路分為上下兩路。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述驅(qū)動(dòng)電路分為上下兩路。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述光耦隔離電路包括反饋光耦和驅(qū)動(dòng)光耦。四川模塊代理價(jià)錢EconoBRIDGE 可在整流級(jí)*有二極管時(shí)實(shí)現(xiàn)不控整流，也可在整流級(jí)中使用晶閘管實(shí)現(xiàn)半控整流。

線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)，分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計(jì)，超前電流、電壓有什么區(qū)別？為了達(dá)到上述目的，在此電路中使用了2個(gè)反射光學(xué)傳感器。一個(gè)用作計(jì)數(shù)，另一個(gè)用來(lái)決定計(jì)數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義？氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例，它是由**而成，這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。

特別是對(duì)于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過(guò)450°C)，退火這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡(jiǎn)單。國(guó)外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶簽訂協(xié)議，就不再給中國(guó)客戶代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國(guó)外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國(guó)外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長(zhǎng)期可靠性，并初步實(shí)現(xiàn)了商業(yè)應(yīng)用。**工藝開(kāi)發(fā)人員非常缺乏，現(xiàn)有研發(fā)人員的設(shè)計(jì)水平有待提高。目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有系統(tǒng)掌握IGBT制造工藝的人才。從國(guó)外先進(jìn)功率器件公司引進(jìn)是捷徑。但單單引進(jìn)一個(gè)人很難掌握IGBT制造的全流程，而要引進(jìn)一個(gè)團(tuán)隊(duì)難度太大。國(guó)外IGBT制造中許多技術(shù)是有**保護(hù)。目前如果要從國(guó)外購(gòu)買IGBT設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，還牽涉到好多**方面的東西。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流急劇加大，進(jìn)入反向擊穿區(qū)，D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。

RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降，還會(huì)造成過(guò)沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過(guò)沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過(guò)沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開(kāi)始上升，它的過(guò)電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過(guò)電壓的能力來(lái)說(shuō)，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感吸收電容，它的引線應(yīng)盡量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開(kāi)通和快軟恢復(fù)二極管，以免產(chǎn)生開(kāi)通過(guò)電壓，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過(guò)電壓。，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負(fù)面影響；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開(kāi)通過(guò)程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來(lái)控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達(dá)到短路保護(hù)的目的。我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)。新能源模塊制定

構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽(yáng)極，N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。云南新能源模塊

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動(dòng)效果將更加接近其極限，從而進(jìn)一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺(tái)和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動(dòng)是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對(duì)混合動(dòng)力汽車及電動(dòng)汽車的主逆變器應(yīng)用（xEV）進(jìn)行了優(yōu)化，功率范圍比較高達(dá)150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級(jí)微型溝槽式場(chǎng)截止單元設(shè)計(jì)。這款芯片組擁有基準(zhǔn)電流密度并具有短路耐用表現(xiàn)，阻斷電壓得以增加，可在苛刻的環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠的逆變器表現(xiàn)。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動(dòng)力車和電動(dòng)車中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產(chǎn)品版本是通過(guò)產(chǎn)品組合中的套件創(chuàng)新和芯片開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)的。云南新能源模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司總部位于昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，是一家一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測(cè)量?jī)x器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）的公司。江蘇芯鉆時(shí)代深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)?，為客戶提供高質(zhì)量的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。江蘇芯鉆時(shí)代繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。江蘇芯鉆時(shí)代始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。

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